1.8Gbit/秒/ピンの性能を実現する16Tbit NANDフラッシュメモリスタック(Samsung Electronics)。<span class="fnt-75">出典 : VLSI回路シンポジウム委員会</span>

1.8Gbit/秒/ピンの性能を実現する16Tbit NANDフラッシュメモリスタック(Samsung Electronics)。出典 : VLSI回路シンポジウム委員会