方向転換を迫られる強誘電体不揮発性メモリの研究開発(4/13)

ハフニウム酸化物FeFETの代表的な書き換えサイクル特性。2019年5月に国際メモリワークショップ(IMW)でYale Universityが発表した基調講演論文から(論文番号1.1)