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強誘電体不揮発性メモリのセル構造
福田昭のセミコン業界最前線
imec、超大容量メモリを製造可能な3D NAND技術で強誘電体セルを試作
2018年12月5日
連載福田昭のセミコン業界最前線
新材料の発見で「大逆転」を狙う強誘電体メモリ
2016年2月2日
富士通とソニー、IMW 2021で次世代不揮発性メモリの開発成果を披露
2021年6月21日
7bit/セルの超多値記憶3D NANDセル技術をキオクシアがIMW2022で披露
2022年6月15日
TSMCが次世代不揮発性メモリの研究成果を大量放出
2022年7月29日
