東芝-WD連合の3D NAND、製品の量産にSamsungの技術を採用(9/12)

東芝メモリが2018年12月に国際学会IEDMのショートコースで公表した3D NANDフラッシュメモリセルの構造。制御ゲート(CG)の説明に金属(Metal)と記述されている