試作したCNFETの構造。CNTのチャンネル周囲を窒化シリコン(SiN)の保護膜で覆うことによって電流の時間的な変動を著しく減らした。2006年2月に産総研が発表した<a href="https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2006/pr20060228/pr20060228.html" class="n" target="_blank">ニュースリリース</a>から

試作したCNFETの構造。CNTのチャンネル周囲を窒化シリコン(SiN)の保護膜で覆うことによって電流の時間的な変動を著しく減らした。2006年2月に産総研が発表したニュースリリースから