STT-MRAMとSOT-MRAMを兼ねる記憶素子の断面構造。下からボトム電極(BE)、スピン軌道トルク(SOT)層(重金属層)、自由層(FL)、トンネル絶縁膜層(MgO)、固定層(RL)、ハード層(HL)の順。黄色い矢印は磁化(磁気モーメント)の方向。赤い矢印はデータ読み出し動作での電流経路。青い矢印はデータ書き込み動作の電流経路。「SOT-Write」と表記された矢印がスピン軌道トルク(SOT)MRAMの電流経路、「STT-Write」と表記された矢印がスピン注入(STT)MRAMの電流経路である。IMW 2019の論文集から

STT-MRAMとSOT-MRAMを兼ねる記憶素子の断面構造。下からボトム電極(BE)、スピン軌道トルク(SOT)層(重金属層)、自由層(FL)、トンネル絶縁膜層(MgO)、固定層(RL)、ハード層(HL)の順。黄色い矢印は磁化(磁気モーメント)の方向。赤い矢印はデータ読み出し動作での電流経路。青い矢印はデータ書き込み動作の電流経路。「SOT-Write」と表記された矢印がスピン軌道トルク(SOT)MRAMの電流経路、「STT-Write」と表記された矢印がスピン注入(STT)MRAMの電流経路である。IMW 2019の論文集から