EUVスキャナにおける縮小率の変更。左は投影光学系の模式図。中央は従来(NAが0.25および0.33)の露光領域。マスクとウェハの縮小率は縦横ともに4倍である。右はNAを0.55に高めた光学系の露光領域。横方向の縮小率は4倍、縦方向(スキャン方向)の縮小率は8倍である。2015年9月にASMLが国際学会「International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography(EUVL Symposium)」で公表したスライドから
