imecが発表したFeFETのセルアレイを3D NANDフラッシュの「メモリスルーホール」技術によって製造するときのイメージ。電荷捕獲方式の3D NANDフラッシュメモリセルと非常に良く似た構造であることがわかる。2017年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から

imecが発表したFeFETのセルアレイを3D NANDフラッシュの「メモリスルーホール」技術によって製造するときのイメージ。電荷捕獲方式の3D NANDフラッシュメモリセルと非常に良く似た構造であることがわかる。2017年6月に国際学会VLSIシンポジウムで発表した論文から