imec、超大容量メモリを製造可能な3D NAND技術で強誘電体セルを試作(2/9)

GLOBALFOUDRIESやNaMLabなどの共同研究グループが試作した強誘電体トランジスタ(FeFET)の電子顕微鏡観察画像。2016年12月の国際学会IEDMで発表した論文から