imec、超大容量メモリを製造可能な3D NAND技術で強誘電体セルを試作(4/9)

3D NAND技術(メモリスルーホール技術)によって製造した強誘電体セルトランジスタの構造図(中央および右)と製造工程(左)。imecがIEDM2018で発表した論文から