XMC(武漢新芯集成電路製造:Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corp.)の沿革。2006年に最初のウェハファブ(生産工場)を着工し、2008年に回路形成済みウェハの出荷をはじめた。2010年には65nm世代のミラービット(MB:Mirror Bit)技術によるNORフラッシュメモリの生産を、2012年には45nmのMB技術によるNORフラッシュメモリの生産をはじめた(Spantion向けとみられる)。2013年には米国IBMから65nm世代と45nm世代の低消費電力半導体技術を導入することでライセンス契約を結んだ。同じ年には、中国科学院(CAS: Chinese Academy of Sciences)から約1,500件の知的財産権をライセンス導入する契約を結んでいる。一方、2枚のシリコンウェハを貼り合わせる「3D IC」技術を開発し、進化させてきた。2013年には裏面照射型(BSI(Back Side Illumination)型)CMOSセンサー向けの貼り合わせ技術、2014年にはTSV(シリコン貫通ビア)技術と組み合わせてロジックとメモリを張り合わせる技術を開発済みである。そして最近では、新しい貼り合わせ技術「Xtacking(本文で後半に説明)」を開発した。YMTCによる基調講演のスライドを撮影したもの(以下も同じ)

XMC(武漢新芯集成電路製造:Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corp.)の沿革。2006年に最初のウェハファブ(生産工場)を着工し、2008年に回路形成済みウェハの出荷をはじめた。2010年には65nm世代のミラービット(MB:Mirror Bit)技術によるNORフラッシュメモリの生産を、2012年には45nmのMB技術によるNORフラッシュメモリの生産をはじめた(Spantion向けとみられる)。2013年には米国IBMから65nm世代と45nm世代の低消費電力半導体技術を導入することでライセンス契約を結んだ。同じ年には、中国科学院(CAS: Chinese Academy of Sciences)から約1,500件の知的財産権をライセンス導入する契約を結んでいる。一方、2枚のシリコンウェハを貼り合わせる「3D IC」技術を開発し、進化させてきた。2013年には裏面照射型(BSI(Back Side Illumination)型)CMOSセンサー向けの貼り合わせ技術、2014年にはTSV(シリコン貫通ビア)技術と組み合わせてロジックとメモリを張り合わせる技術を開発済みである。そして最近では、新しい貼り合わせ技術「Xtacking(本文で後半に説明)」を開発した。YMTCによる基調講演のスライドを撮影したもの(以下も同じ)