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セレクタとpMTJ、メモリセル(1S1R)の電流電圧特性。メモリセルで磁化反転が生じていることを確認した。IMW 2018でAvalanche Technologyが発表した論文から筆者がまとめたもの
ついに明らかになった3D XPointメモリの正体。外部企業がダイ内部を原子レベルで解析
2017年8月15日
連載福田昭のセミコン業界最前線
Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身
2015年7月30日
ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発
2014年12月22日
Intelの高速大容量メモリ「Optane」を追いかける
2019年5月17日