Samsung、歩留まり良好な8nm FinFETの量産準備完了(1/1)

    もっと見る
      もっと見る
        もっと見る
          もっと見る
          • 記事へ

          • 記事へ

          関連記事

          • Samsung、EUVリソグラフィ採用の7nm FinFET技術を公表

            2017年6月8日

          • Samsung、第2世代10nm FinFETの生産準備が完了。10%性能向上、15%省電力化

            2017年4月21日

          • Samsung、10nm FinFETプロセスの生産は歩留まり良好で好調と報告

            2017年3月16日

          • 福田昭のセミコン業界最前線

            EUVを使わずに微細化の極限を目指す半導体製造技術

            2018年1月8日

          • 本サイトのご利用について
          • お問い合わせ
          • 広告掲載のご案内
          • プライバシーポリシー
          • 会社概要
          • インプレスグループ
          • 特定商取引法に基づく表示

          Copyright ©2018Impress Corporation. All rights reserved.