10nm世代のArF液浸リソグラフィを基準にした、7nm世代におけるマスク枚数の変化(相対値)。7nm世代ではEUVリソグラフィを導入することで、マスクの枚数が減少する。VLSIシンポジウム実行委員会が報道機関向けに公表した資料から

10nm世代のArF液浸リソグラフィを基準にした、7nm世代におけるマスク枚数の変化(相対値)。7nm世代ではEUVリソグラフィを導入することで、マスクの枚数が減少する。VLSIシンポジウム実行委員会が報道機関向けに公表した資料から