エルピーダ、25nmプロセスの4Gbit DDR3 SDRAMを開発

9月22日 発表



 エルピーダメモリ株式会社は22日、25nmプロセスを採用した4GbitのDDR3 SDRAMを開発完了したと発表した。エルピーダでは世界初とともに、4GbitのDRAMとして世界最小のチップサイズとしている。

 従来の30nmプロセス4Gbit DDR3 SDRAMと比較して、1枚のウェハあたりの取得数が約45%増加し、低コストで生産できるという。また、動作電流を25~30%、待機電流を30~50%低減しつつ、ピンあたり1,866Mbps以上のデータ転送レートを実現した。動作電圧は1.5V、低電圧版の1.35V。

 サンプル出荷および量産開始は2011年12月を予定している。

(2011年 9月 22日)

[Reported by 山田 幸治]