エルピーダメモリ株式会社と米Spansionは2日、チャージトラップ型の4Gbit NANDフラッシュメモリの開発に成功したと発表した。生産は広島工場で行なう。チャージトラップ型のNANDフラッシュメモリは世界初だという。

　現行のNANDフラッシュメモリはフローティングゲート型だが、チャージトラップ型は微細化に有利なほか、セル構造もシンプルなためチップを小型化できるとされる。さらに、フローティングゲート型よりもリードで約2倍、ライトで約15%高速だという。

　今回開発したのは、1.8V駆動、SLCの容量4Gbit品。エルピーダはこのNANDフラッシュメモリとMobile RAMを組み合わせて、MCP製品として携帯機器向けに販売する計画。2010年第4四半期にサンプル出荷を開始し、2011年第1四半期から量産する予定としている。

　このほか、容量2Gbit、1Gbitの製品や、3V駆動の製品も開発中で、ラインナップを強化する。