千葉工業大ら、600℃の環境で正常動作する不揮発性メモリを開発

ナノギャップメモリの原理概要

　千葉工業大学、国立研究開発法人 産業技術総合研究所および物質・材料研究機構らは11日、600℃の高温環境でも動作する不揮発性メモリを開発したと発表した。

　通常のシリコン半導体を用いたメモリ素子は、バンドギャップに起因する半導体製を高温で保持できなくなるが、今回上記研究グループらは共同で耐熱性を有する「白銀ナノギャップ構造」を利用した不揮発性メモリ素子を開発。超高温で動作する不揮発性の抵抗変化メモリの実現に成功した。

　同メモリ素子は高温環境下でのメモリやセンサーへの応用、フライトレコーダや惑星探査機への応用が期待される。