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データ保持特性の試験結果。縦軸はしきい電圧、横軸は時間。IEDM 2011の論文(論文番号24.5)から
連載福田昭のセミコン業界最前線
「次世代大容量メモリ」からこぼれ落ちた、強誘電体メモリの過去と現在
2016年1月25日
福田昭のセミコン業界最前線
imec、超大容量メモリを製造可能な3D NAND技術で強誘電体セルを試作
2018年12月5日
再び勢いを増した次世代メモリの研究開発
2019年5月15日
MIT、太陽電池の素材開発を20年から2年に縮めるシステムを開発
2019年6月7日
方向転換を迫られる強誘電体不揮発性メモリの研究開発
2019年12月23日
パナソニックとNEDO、ペロブスカイト太陽電池で世界最高16.09%の変換効率を実現
2020年1月20日
富士通、100兆回書き込み保証の8Mbit FRAM
2021年11月17日
