上は、ゲート絶縁膜に強誘電体HfO2を導入して試作したMOS FETの電子顕微鏡観察像。HfO2とシリコンチャンネルの間には、きわめて薄い二酸化シリコン(SiO2)層をバッファ層として挿入してある。下の2つの図面は、書き込み動作の原理図。上側の原理図はHfO2が強誘電体の場合。分極によってトランジスタのしきい電圧が変化する。下側の原理図はHfO2が反強誘電体の場合。電荷のトラップによってしきい電圧が変化するので、しきい電圧の変化する極性が強誘電体とは逆方向になる。IEDM 2011の論文(論文番号24.5)から