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オンチップキャッシュをSRAM/eDRAMからSTT-MRAMに換えることで、リーク電流の低減とシリコン面積の縮小を狙う。東芝の講演論文から
ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発
2014年12月22日
連載福田昭のセミコン業界最前線
プロセッサのキャッシュにMRAMを使う
2012年7月9日
プロセッサのキャッシュに不揮発性メモリを使う
2012年7月3日
東芝、“世界最高の電力性能”を実現したSTT-MRAMを開発
2016年2月1日
東北大学ら、MRAMにおける“第3のスピン軌道トルク磁化反転方式”を開発
2016年3月23日