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メモリセルの回路構成。左は3次キャッシュ(L3)とラストレベルキャッシュ(LLC)のメモリセル。右は2次キャッシュ(L2)のメモリセル。東芝の講演論文から
ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発
2014年12月22日
連載福田昭のセミコン業界最前線
プロセッサのキャッシュにMRAMを使う
2012年7月9日
プロセッサのキャッシュに不揮発性メモリを使う
2012年7月3日
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2016年2月1日
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2016年3月23日