PCMの記憶素子。カルコゲナイド系合金のゲルマニウム・アンチモン・テルル(GST：GeSbTe)は、結晶相とアモルファス相(ガラスと似た状態)の間を行き来する性質(相変化)がある。結晶相では電気抵抗が低く、アモルファス相では電気抵抗が高い。この違いをデータの記憶に利用する。相変化を起こすには加熱を必要とするので、記憶素子はヒーターを備える
