MRAMの記憶素子。薄い絶縁層(トンネル絶縁層)を磁性層で挟んだ構造をとる。「磁気トンネル接合(MTJ：Magnetic Tunneling Junction)」と呼ばれる。磁性層の磁化の向きが互いに平行であるときと、反平行であるときでMTJを貫く電気抵抗が変化する。この違いをデータの記憶に利用する
