ReRAMの記憶素子。酸化物材料が電圧パルスの印加方法によって低抵抗状態と高抵抗状態を行き来する。この性質をデータの記憶に利用する

ReRAMの記憶素子。酸化物材料が電圧パルスの印加方法によって低抵抗状態と高抵抗状態を行き来する。この性質をデータの記憶に利用する