4層のメモリセルアレイを積み重ねたときの模式図。上の図はワード線の断面を見せるように切断した構造、下の図はビット線の断面を見せるように切断した構造である。橙色の線がワード線、紫色の線がビット線、その間にある緑色の小さな領域が記憶素子(可変抵抗素子)
