試作したクロスポイント型メモリセルアレイ断面の透過型電子顕微鏡観察像。左はワード線方向(X方向)から観察したもの。右はビット線方向(Y方向)から観察したもの。第4金属配線層(M4)と第5金属配線層(M5)の間に記憶素子(Resister)を配置してある
