エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ
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ソニーの抵抗変化メモリ技術と4Mbitチップの主な性能
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【2012年1月24日】エルピーダ、64MbitのReRAMの開発に成功
～シャープ、東大、産総研との共同開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20120124_507015.html
【2011年6月20日】【VLSI 2011】抵抗変化メモリの開発状況をSamsung、Hynix、ルネサスが一部公表
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110620_454560.html
【2011年6月2日】【IMW 2011】容量当たりコストでNANDに追い付く相変化メモリ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110602_449905.html
【2011年2月24日】【ISSCC 2011】低コスト64Gbit大容量NANDフラッシュの実現技術
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110224_428967.html
【2010年2月10日】【ISSCC 2010】次世代不揮発性メモリの開発が大きく進展
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20100210_348212.html
【2007年12月14日】【IEDM 2007】次世代不揮発性メモリもマルチレベルを指向
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1214/iedm06.htm
