エルピーダメモリが64Mbit抵抗変化メモリの開発発表とともに公表したシリコンダイ写真。64Mbitのメモリセルアレイを4個搭載した、合計で256Mbitのシリコンダイである。評価用の試作ダイであるため、各メモリセルアレイの内容は微妙に違っているという。64Mbitのメモリセルアレイは、ほぼ全ビットが動作した。データの読み出しと書き込みはアクセス性能の測定を目的としていないので比較的ゆっくりと実行しており、読み出しアクセス時間が100ns前後、書き込みアクセス時間が10μs前後である。読み出しでは20nsとかなり短いアクセス時間でも実行できたという。書き換え寿命は100万回までは確認済みだとする。製造技術は50nmのCMOS技術