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試作した3次元構造NANDフラッシュメモリのチップ写真。製造技術は60nm CMOS。チップ寸法は10.11×15.52mm。メモリセルアレイの領域が少なく、周辺回路の領域が大きい
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー
2013年8月19日
連載福田昭のセミコン業界最前線
東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術
2015年4月2日