東芝とSanDiskが共同で2008年2月に国際学会ISSCCで共同発表した16GbitのNANDフラッシュメモリ。製造技術は43nm CMOS。チップ寸法は12.96×9.28mm。チップの大半をメモリセルアレイが占める

東芝とSanDiskが共同で2008年2月に国際学会ISSCCで共同発表した16GbitのNANDフラッシュメモリ。製造技術は43nm CMOS。チップ寸法は12.96×9.28mm。チップの大半をメモリセルアレイが占める