NANDフラッシュメモリのシリコンダイを積層する広帯域メモリモジュールHBFのコンセプトと特徴。基本的な構造はDRAMベースの広帯域メモリモジュールHBMと変わらない。大きな違いは、HBMのコアダイ(メモリダイ)がDRAMであるのに対し、HBFのコアダイがNANDフラッシュメモリであることだ。スライドはSandiskが2026年8月13日に開催した投資家向けイベント「Sandisk Investor Day in Focus 2026」で発表したもの(2026年8月5日に開催されたFMS 2026の基調講演でも同様のスライドが使われた)