次世代高NA EUV露光システム向けレジストと将来のロジック/メモリ技術ノード(2025年から2033年の目標仕様)。なおレジストはCARが化学増幅型レジスト、MORが金属酸化物型レジストのこと。メモリの「コンデンサ」はDRAMセルのキャパシタを意味する。k1はレイリー則のk1ファクタ。ロジックの「メタル」は金属配線を意味する。ロジックのk1は平行配線での値(DRAMキャパシタは深い孔加工なのでk1が高い)
