チャンネル裏面に酸化層と窒化層を設けた「MANOSON(Metal-AlO-Nitride-Oxide-Semiconductor-Oxide-Nitride)」セルのエネルギーバンド図(上)と、書き換えサイクルによるしきい電圧の上昇(下)。SandiskとキオクシアがIMW 2026で共同発表した論文から(論文番号2.3)
