セルトランジスタの構造(左)、トンネル絶縁膜の厚みとワード線の位置(右上)、しきい電圧のばらつきとワード線の位置(右中央と右下)。SandiskとキオクシアがIMW 2026で共同発表した論文から(論文番号2.3)。セルトランジスタは「MANOS(Metal-AlO-Nitride-Oxide-Semiconductor)」と両社が呼称する構造。低層階(低層のワード線につながるセルトランジスタ)ではプログラムとイレーズ(書き換え)の繰り返しによって初期状態(Fresh cells)と比べ、しきい電圧のばらつきが拡大する(P/E cycled cells)。なお図面が粗いのは、論文自体によるもの(以下同じ)