ダウォン・カーンとマーティン・アタラが試作した世界初のMOS FET。左は顕微鏡観察写真、中央は平面構造図、右は断面構造図。2025年12月9日に開催されたIEDM昼食会の招待講演で岩井氏が示したスライドから
