ベル電話研究所のマーティン・アタラが開発した、二酸化シリコン(SiO2)膜によるシリコン(Si)表面の不活性化技術。清浄なシリコン表面を純酸素中かつ高温下で酸化させる(熱酸化膜の生成)。加熱温度は900℃とかなり高い。2025年12月9日に開催されたIEDM昼食会の招待講演で岩井氏が示したスライドから
