Samsung、14nm世代のFinFETロジックと互換の埋め込みMRAM技術を開発(6/6)

14nm世代と8nm世代(サブ10nm世代)のeMRAMセルでデータ保持特性(左)と書き込み不良率(右)を比較した結果。VLSIシンポジウムで発表した論文から(番号T18-4)