試作した128Mbit eMRAMの内部ブロック(上)と、読み出しと書き込みのバイアス条件(下)。なお書き込み動作は「0」書き込みサイクルと「1」書き込みサイクルの2サイクルに分けて実施する。書き込みを2サイクルに分けることで、書き込みバイアス電圧を下げて書き込みドライバのシリコン面積を削減した。VLSIシンポジウムで発表した論文から(番号C2-2)
