システムを構成する電子デバイスと電子部品の外観写真。左はイメージセンサのシリコンダイ写真。シリコンダイの大きさは2mm角。製造技術は180nmのCMOSプロセス。中央は無線ユニットと電気刺激ユニットの両方を兼ねる回路のシリコンダイ写真。大きさは3mm×1mm。製造技術は180nmのCMOSプロセス。右は上からセンサーユニット(FPGA搭載ボードとイメージセンサ搭載ボード)、無線ユニット、電気刺激ユニットである。カナダのトロント大学などによる共同研究グループがVLSIシンポジウムで発表した論文から(番号C1-1)