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原子位置の乱れがノイズ発生の起源であると発見
福田昭のセミコン業界最前線
NANDフラッシュメモリに続いて大容量DRAMも将来は3次元積層へ
2023年6月9日
産総研、量子コンピュータの性能向上につながるトランジスタの低温動作メカニズムを解明
2023年12月11日
