ノイスの特許「Semiconductor Device-and-Lead Structure」(特許番号2981877)に描かれた図面の例。上が平面図、下が断面図。左側のpn接合ダイオードと右側のnpnトランジスタを配線(30番および31番のリード(Lead)で結ぶ

ノイスの特許「Semiconductor Device-and-Lead Structure」(特許番号2981877)に描かれた図面の例。上が平面図、下が断面図。左側のpn接合ダイオードと右側のnpnトランジスタを配線(30番および31番のリード(Lead)で結ぶ