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チャージトラップ方式のフラッシュメモリ。フローティングゲートとは異なり、電荷を絶縁体に保存するため、セル間干渉を抑えてセル面積を縮小しながら性能を向上させられる
福田昭のセミコン業界最前線
Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ
2018年8月13日
エルピーダとSpansion、世界初のチャージトラップ型NANDフラッシュを開発
2010年9月2日
1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術
2021年4月2日
IntelのNAND事業を買収するSK Hynixの野望
2020年11月10日