東北大ら、大型高純度な窒化ガリウム単結晶基板の生成技術(2/2)

LPAAT法を用いて2種類のGaN種結晶(HVPE、SCAAT)上に作製された2インチサイズのGaN単結晶基板(左)と、結晶構造特性およびフォトルミネセンススペクトル(右)