四戸 孝(しのへ たかし)氏(左)と井川 拓人(いがわ たくと)氏。四戸氏は取締役CTO(最高技術責任者)兼パワーデバイス事業本部長をつとめる。東北大学理学部を1981年に卒業し、東芝に入社。GTOサイリスタやIGBT、SiCデバイスなど、数多くのパワーデバイスの開発に携わってきた。2016年11月に東芝を定年退職。2017年4月にFLOSFIAのメンバーとなった。
井川氏は、FLOSFIAの母体である京都大学工学部の藤田研究室を修士で卒業後、2012年に伊藤忠商事に入社。太陽光発電や石炭などのエネルギー分野を担当し、海外駐在を経験した。2017年1月にFLOSFIAのメンバーとなる。この写真は筆者が2020年3月12日に撮影した