Western Digital(WD)が2019年12月8日に国際学会IEDMのショートコースで公表した3D NANDフラッシュメモリの構造に関するスライド。左はメモリセルアレイの構造。右はメモリセルの構造。メモリセルのゲート部分にタングステン(Tungsten)と表記してある
