「TCAT(Terabit Cell Array Transistor)」技術による3D NANDフラッシュメモリの構造。タングステン(W)のゲート(深緑色)の周囲を絶縁膜(トンネル層と電荷捕獲層、ブロック層)が覆う。東芝が2017年5月に国際学会IMW(国際メモリワークショップ)で公表した資料から
