FLOSIAと京都大学が共同で試作したノーマリオフ横型MOS FETの断面構造図(左)と電極の電子顕微鏡観察像(右)。n型拡散層とp型ウェル層によってシリコンと同様のnチャンネル型MOS FETを構成している。2018年7月13日付けニュースリリースから
