米コーネル大学とノベルクリスタルテクノロジーが共同で試作したノーマリオフ縦型MIS FETの断面構造図(左)と電子顕微鏡による断面観察像(右)。出典:Zongyang Hu, et. al.,「Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV」, IEEE Electron Device Letters, vol.39, no.6, pp.869-872.
