α-Ga2O3とβ-Ga2O3の物性定数。バンドギャップはα-Ga2O3が少し広い。出典:四戸孝、「ミストCVD法による各種薄膜形成技術」、『THE CHEMICAL TIMES』、2019年、no.4(通巻254号)、pp.8-11(発行元:関東化学)
