試作した埋め込みフラッシュメモリの概要。左の「Conv. eFlash Macro」はルネサス エレクトロニクスが2015年に国際学会ISSCCで発表した埋め込みフラッシュメモリ。中央と右の「Proposed eFlash」がVLSIシンポジウムで発表した埋め込みフラッシュメモリ。中央はマクロ、右はシリコンダイ。いずれも動作温度範囲が-40℃～170℃と広く、自動車用マイコンに適応する。2019 VLSIシンポジウムの論文集から
